| Titre : | IMPURITY DOPING PROCESSES IN SILICON |
| Auteurs : | F. F. Y. Wang, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Amsterdam : North-Holland, 1981 |
| Collection : | Materials Processing - Theory and Practices, num. 2 |
| ISBN/ISSN/EAN : | 978-0-444-86095-8 |
| Format : | 644 p. / 23 cm |
| Langues: | Anglais |
| Index. décimale : | MATE (MATERIAUX) |
| Mots-clés | Doping , Semiconductors , Silicon |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Commentaire |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 005674 | MATE3 WAN | papier | CNRS | MATE (MATERIAUX) | Disponible |
